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學術(shù)講座:注氫純鋁中間隙型位錯環(huán)一維遷移現(xiàn)象的原位觀察
作者:     供圖:     供圖:     日期:2022-10-05     來源:    

講座主題:注氫純鋁中間隙型位錯環(huán)一維遷移現(xiàn)象的原位觀察

專家姓名:李然然

工作單位:煙臺大學核裝備與核工程學院

講座時間:2022年10月6日下午2:30

講座地點:綜合樓617

主辦單位:煙臺大學核裝備與核工程學院

內(nèi)容摘要:

核聚變堆材料在高能粒子輻照過程中會產(chǎn)生大量點缺陷,,導致輻照脆性和輻照腫脹等現(xiàn)象,。因而,研究點缺陷在輻照過程中的演變過程至關(guān)重要,。點缺陷團簇的一維遷移現(xiàn)象是這種演變過程的主要研究內(nèi)容之一,。

本報告采用普通低壓(200 kV)透射電鏡,,在室溫條件下對注氫純鋁中的間隙型位錯環(huán)在電子輻照下的一維遷移現(xiàn)象進行了觀察和分析。首次發(fā)現(xiàn)了室溫條件下遷移距離達到微米級的間隙型位錯環(huán)長程一維遷移現(xiàn)象,,遠高于之前所報道的納米尺度的位錯環(huán)一維遷移現(xiàn)象,。提出并討論了位錯環(huán)長程一維遷移的形成理論:間隙原子濃度梯度是促使間隙型位錯環(huán)發(fā)生長程一維遷移的直接原因。在快速一維遷移的位錯環(huán)一維遷移路徑中發(fā)現(xiàn)了襯度變化明顯的遷移軌跡,。

主講人介紹:

姓名李然然,,煙臺大學核裝備與核工程學院講師。主要從事核材料中純金屬和異質(zhì)界面材料中位錯環(huán)的種類以及遷移過程,,以第一作者發(fā)表學術(shù)論文5篇,。